SCR全名Silicon Controlled Rectifier中文名:可控硅,是一種三端、三結(jié)、四層半導(dǎo)體器件,用于在電源電路中執(zhí)行開關(guān)功能。有時(shí)SCR也稱為晶閘管。
一、SCR 可控硅的構(gòu)造:
SCR具有三個(gè)pn結(jié),四層p型和n型半導(dǎo)體交替連接得到pnpn器件。三個(gè)端子分別取自外部 p 型層,稱為陽極 (A),第二個(gè)取自外部 n 型層,稱為陰極 (K),第三個(gè)取自內(nèi)部 p 型層,稱為柵極 (G)。
二、SCR可控硅 的工作原理:
在 SCR 中,負(fù)載與陽極串聯(lián)。陽極相對于陰極始終保持正極。
1.當(dāng)開路時(shí):
當(dāng)沒有電壓施加到柵極端子時(shí),結(jié)J2被反向偏置,并且結(jié)J1和J3被正向偏置。由于三個(gè)結(jié)之一反向偏置,因此沒有電流流過負(fù)載,因此 SCR 關(guān)閉。然而,如果施加的電壓逐漸增加,就會(huì)達(dá)到反向偏置結(jié) (J2) 擊穿的階段。SCR 現(xiàn)在開始導(dǎo)通并變?yōu)?ON。反向偏置結(jié)擊穿且 SCR 導(dǎo)通時(shí)所施加的電壓值稱為擊穿電壓。
2.當(dāng)柵極相對于陰極為正時(shí):
通過在柵極端子處施加小的正電壓,可以在更小的施加電壓下使SCR導(dǎo)通。當(dāng)施加?xùn)艠O電壓時(shí),結(jié) J3 正向偏置,結(jié) J2 反向偏置。因此,來自n型層的電子開始穿過結(jié)J3向p型材料移動(dòng),并且空穴從p型材料向n型材料移動(dòng)。由于空穴和電子穿過結(jié) J3 的移動(dòng),柵極電流開始流動(dòng)。由于柵極電流,陽極電流增加。增加的陽極電流使得結(jié)點(diǎn) J2 上有更多的電子可用。這一過程的結(jié)果是,在很短的時(shí)間內(nèi),結(jié)點(diǎn) J2 擊穿,SCR 導(dǎo)通。
即使柵極端子處的電壓被移除,SCR 陽極電流也不會(huì)減少。只能通過將施加的電壓降至零來關(guān)閉 SCR。
三、可控硅參數(shù):
1.擊穿電壓:如果未施加?xùn)艠O電壓,則 SCR 開啟時(shí)所施加電壓的最小值。對于市售 SCR,擊穿電壓范圍為 50 V 至 500 V。
2.峰值反向電壓 (PRV):它是可施加到 SCR 而不反向傳導(dǎo)的最大反向電壓(即陰極相對于陽極為正)。市售 SCR 的 PRV 高達(dá) 2.5 kV。
3.保持電流:當(dāng)柵極打開時(shí),SCR 從 ON 狀態(tài)轉(zhuǎn)為 OFF 時(shí)陽極電流的最大值。
4.正向電流額定值:SCR 在不損壞的情況下可以通過的陽極電流的最大值。
5.電路熔斷額定值:它表示 SCR 的最大正向浪涌電流能力。它被定義為正向浪涌電流的平方與浪涌持續(xù)時(shí)間的乘積。
如果 SCR 電路中的電路熔斷額定值超出,器件就會(huì)因功耗過大而損壞。
四、SCR可控硅的 I-V 特性:
它是在恒定柵極電流下 SCR 的陽極 - 陰極電壓 (V) 和陽極電流 (I) 之間繪制的曲線。
1.正向特性:當(dāng)陽極相對于陰極為正時(shí),V 和 I 之間的曲線稱為 SCR 的正向特性。如果電源電壓從零開始增加,則當(dāng) SCR 開始導(dǎo)通時(shí),達(dá)到一個(gè)點(diǎn)(A 點(diǎn),該電壓稱為導(dǎo)通電壓)。在這種情況下,可控硅兩端的電壓突然下降(曲線中虛線所示),并且大部分電源電壓出現(xiàn)在負(fù)載兩端。
2.反向特性:當(dāng)陽極相對于陰極為負(fù)時(shí),V 和 I 之間繪制的曲線稱為反向特性。如果反向電壓逐漸增加,首先陽極電流仍然很小(稱為漏電流),在一定的反向電壓下,發(fā)生雪崩擊穿,可控硅開始反向?qū)ǎㄈ绲谌笙耷€所示)。SCR 開始反向?qū)ǖ淖畲蠓聪螂妷悍Q為反向擊穿電壓。
五、SCR可控硅的應(yīng)用:
SCR 可用于以下應(yīng)用
1.電源開關(guān)電路;
2.可控整流器;
3.交流電源控制電路;
4.直流并勵(lì)電機(jī)的速度控制;
5.可控硅撬棒;
6.計(jì)算機(jī)邏輯電路;
7.定時(shí)電路;
8.逆變器;
9.電池充電穩(wěn)壓器;
10.溫度控制系統(tǒng)。
六、總結(jié):可控硅是一款應(yīng)用比較廣泛的電子元器件,在電路板都都可以見到他的身影。